今年3月に世界で初めて内蔵するパワー半導体素子を全てシリ

　今年3月に世界で初めて内蔵するパワー半導体素子を全てシリコンカーバイドで構成したフルSiCパワーモジュールの量産を開始するなど、SiC製品の積極的な商品開発を進めるローム <6963> 今回、モジュール第2弾となる新製品を開発したそれがショットキーバリアダイオードレスのSiC−MOSモジュールである

　SiCパワー半導体は、すでに産業機器などでの採用・検討が進んでいる一方で、小型モジュールサイズを維持したままでの大電流化に対する要求が高まっていたというしかし、通常、大電流化のためにはMOSFETの搭載個数を増やすなどの対応がとられるものの、その場合、整流素子であるダイオードもセットで必要となるため、小型サイズの維持が困難となっていた

　この課題に対しロームは、ボディーダイオードの通電劣化を解消した第2世代のSiC−MOSFETを採用することにより、業界で初めてダイオードを必要としないSiCパワーモジュール（SiC−MOSモジュール）の開発・量産に成功MOSFETの搭載面積を増やしたことにより、小型モジュールサイズを維持したままでの大電流化を実現した一般的なインバータで利用されているSi−IGBTと比較して損失を50％以上削減することが可能な上、高周波動作できることから周辺部品の小型化にも貢献できる製品となっている

年率で60〜70％もの伸びを見せ、2015年には約800億円もの市場になると予測されているSiCデバイス先日もロームは、京都大学・大阪大学・東京エレクトロン <8035> との共同研究により、高誘電率ゲート絶縁膜（アルミニウム酸窒化物）を採用したSiC−MOSFETを開発したと発表するなど、普及に向けた技術開発・製品ラインナップを着実に進めている一方で、今期も最終赤字を見込むなど、経営は厳しい状況が続く業界をリードする技術力と市場の拡大を、業績へと反映させることができるのかそれが2013年以降の大きな課題と言えるであろう　大みそか格闘技イベント「ＩＮＯＫＩ　ＢＯＭ−ＢＡ−ＹＥ　２０１２」（３１日、東京・両国国技館）で元ＤＥＥＰメガトン級王者・川口雄介と対戦するホーレス・グレイシーが２９日、都内・ＩＧＦ道場で公開練習を行った

　ＵＦＣ参戦経験を持ち、今年２月にはＯＮＥＦＣでボブ・サップも沈めているホーレスは、まずジャブ、ストレートを確認するよう単発で繰り返し、そこから次第にコンビネーションを加えて蹴りまでを披露このミット打ちを５分２Ｒ行いアップを済ませると、続いて腕十字、アームロック、オモプラッタとグラウンドでの打ち込みへ移り、１９０ｃｍを超す巨漢ヘビー級ファイターながら流麗な動きを見せる中でもマウントからのパターンは入念に繰り返して行い、腕十字、パウンドで後ろ向きにさせてのスリーパーと、グレイシーらしい攻めを存分に発揮した

　今回採用されるのはヒジ・踏みつけもありの過激ルールとなるが、ホーレスは「何でもありの方が自分は好きだしやりやすいなんなら次回は頭突きもありにしてほしいぐらい」とジョークも飛ばす余裕ぶり川口の方が総合での試合戦績は多いが、幼少時から学んできた柔術の下地がそう言わせるのか、「私の経験を教えてやるような試合になる」と自信を隠さなかった
　ホーレスにとっては今回相手の川口より日本で試合できることが大きな意味を持つようで、「猪木さんは有名で昔から知っているし、日本では私の一族がみな戦ってきました日本で試合をするのが夢だったし、自分の可能性を広げる機会をもらえて感謝しています」と喜びの気持ちを語った

　一本とＫＯ、どちらを狙うのか？という問いに対しては「ＫＯできればＫＯするし、極めるチャンスがあれば極めますそこは相手次第なので、試合の流れに合わせてやりたい判定まで行くこともあるかもしれない」と柔軟な考えを語り、勝負の真髄を叩き込まれたグレイシーらしさを垣間見せる
　過去に闘争を繰り広げてきたプロレスラーvs.グレイシーという見方もできる一戦だが、これに関しては「たしかに一族がこれまで戦ってきて勝ったり負けたりしてきましたが、ファイトはファイトあまり気にしません日本はいい選手が多いので頑張ります」と、こちらは新世代グレイシーゆえか、あまり意識するところがない様子だった

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